1400°真空/气氛管式炉（TF）
使用温度范围 300～1400℃ 温度控制精度 ±1℃ 管径φ40φ50φ60 φ80
提供具有真空、可控气氛及高温的实验环境，应用在半导体、纳米技术、碳纤维等领域
■产品用途：
此款CVD生长系统适用于CVD工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结等实验。
■产品特点：
炉膛采用多晶莫来纤维真空吸附制成，温场均匀节能50%以上
专利的空气导流隔热技术保证箱内各部件的使用寿命及恒温效果
启动电炉，排温风机同时自动运行，试验结束后，排温风机将继续运行，直至炉体温度低于60℃，排温风机自行停止，有效保护了炉体表面
自动断电、超温保护功能、漏电保护功能，以确保使用的安全性
电路采用连续加热输出方式，双回路供电，强弱电单独走线提高了系统的稳定性
加热模块采用直流信号调节输出功率，避免了感应电对控制信号的干扰
自动补偿由于温度或老化对硅碳棒阻值变化带来的控温影响，避免人为调节的不准确性和危险性
采用数显流量显示仪，配合质量流量控制器，采集数据并控制流量。具有控制精度高，重复性好，相应速度快，稳定可靠等特点。（气体质量流量控制系统）
自动控制与手动控制切换功能，自动控制模式能通过设定值自动开启/关闭真空泵，使容器内保持在一定的真空压力范围内。手动控制模式使用用户通过真空泵开启/关闭按钮直接操作真空泵。以满足不同实验的需要。（中真空控制系统）
电磁阀缓启动技术，使电磁阀在真空泵开启10秒钟后打开，使炉管内系统压力保持准确，也保证了废气不会返回到炉管系统影响实验效果（中真空控制系统）
■安全性：
过升报警、菜单锁定、过升防止、复电延时。
采用单向阀技术，使气体流量在可控压力范围内控制，保证安全。
采用混气罐装置，使气体可以在充分混合后导入工作室内，确保不会泄露。
■技术参数：
